物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1160 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 150W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-262 |
| 封装/外壳: | TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA |